RV2C001ZPT2L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RV2C001ZPT2L 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥0.556848 +8000：￥0.397728 +16000：￥0.397728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.509894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.530843 +16000：￥0.471861 +24000：￥0.442404 +56000：￥0.392258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.917296 +16000：￥0.815374 +24000：￥0.764472 +56000：￥0.677821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.44529 +10：￥4.07213 +100：￥2.30833 +500：￥1.528944 +1000：￥1.172159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-101, SOT-883 供应商器件封装： DFN1006-3 (VML1006)
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.44529 +10：￥4.07213 +100：￥2.30833 +500：￥1.528944 +1000：￥1.172159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-101, SOT-883 供应商器件封装： DFN1006-3 (VML1006)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.116416 +10：￥4.93405 +100：￥2.008412 +1000：￥1.265142 +2500：￥1.186069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML1006 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： 150°C（TJ）

RV2C001ZPT2L参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	VML1006
封装/外壳:	SC-101，SOT-883
温度:	150°C（TJ）