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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册	+1：￥6.40656 +100：￥3.632544 +1500：￥2.302992 +3000：￥1.71576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 240 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.387798 +6000：￥1.276229 +9000：￥1.219319 +15000：￥1.155341 +21000：￥1.117443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 240 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.394921 +6000：￥3.121994 +9000：￥2.982777 +15000：￥2.826271 +21000：￥2.733561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 240 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.074745 +10：￥8.735521 +100：￥5.680384 +500：￥4.361642 +1000：￥3.936339	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TUMT3
RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.074745 +10：￥8.735521 +100：￥5.680384 +500：￥4.361642 +1000：￥3.936339	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TUMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSF014N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 下载数据手册未分类	+1：￥11.773855 +10：￥8.556773 +100：￥6.019591 +500：￥4.742707 +1000：￥4.06281	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 240 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 70 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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	RSF014N03TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥5.582485 +50：￥4.322846 +100：￥3.387661 +200：￥3.368577 +500：￥2.643331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RSF014N03TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	240 毫欧 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2 nC 5 V
Vgs（最大值）:	20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	70 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT3
封装/外壳:	3-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）