R6004JNJGTL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 R6004JNJGTL 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥26.483149 +100：￥17.909452 +500：￥13.146287 +1000：￥9.52633 +2000：￥9.050074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.177668 +200：￥6.862326 +500：￥6.632853 +1000：￥6.512653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥16.790285 +50：￥14.091322 +100：￥13.395802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.441849 +2000：￥13.719813 +5000：￥13.204033 +10000：￥12.766839	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.49856 +10：￥25.278343 +100：￥20.114866 +500：￥17.020751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.49856 +10：￥25.278343 +100：￥20.114866 +500：￥17.020751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管	+1000：￥16.451543 +2000：￥15.75113 +5000：￥15.148449 +10000：￥14.659789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.43 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 450µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+10：￥4.799071 +50：￥4.70534 +100：￥4.555367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6004JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 4A, 600V, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥20.831409 +10：￥17.261315 +100：￥13.738359 +500：￥11.629297	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6004JNJGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.43 欧姆 2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	260 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）