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搜索 RV1C001ZPT2L 共 8 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+5：

￥3.364526

+50：

￥2.243098

+150：

￥1.869208

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+8000：

￥0.541769

+16000：

￥0.53274

+24000：

￥0.52371

+32000：

￥0.514681

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_null
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
+1：

￥3.41496

+100：

￥1.973808

+1000：

￥1.25136

+4000：

￥0.848448

+8000：

￥0.61344

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+8000：

￥0.350727

+16000：

￥0.290802

+24000：

￥0.285663

+56000：

￥0.256635

+200000：

￥0.22241

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+8000：

￥0.85797

+16000：

￥0.711379

+24000：

￥0.698806

+56000：

￥0.627797

+200000：

￥0.544072

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1：

￥5.429283

+10：

￥3.771923

+100：

￥1.841672

+500：

￥1.535917

+1000：

￥1.067141

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

供应商器件封装： VML0806

RV1C001ZPT2L_晶体管-FET，MOSFET-单个
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1：

￥5.429283

+10：

￥3.771923

+100：

￥1.841672

+500：

￥1.535917

+1000：

￥1.067141

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

供应商器件封装： VML0806

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RV1C001ZPT2L_晶体管
RV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806

下载数据手册

晶体管
+1：

￥6.206487

+10：

￥4.311876

+100：

￥1.76395

+1000：

￥1.061636

+2500：

￥0.96364

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8Ohm 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 100mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： VML0806

封装/外壳： 3-SMD, No Lead

温度： 150°C (TJ)

RV1C001ZPT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.8Ohm 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 100mW (Ta)
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: VML0806
封装/外壳: 3-SMD, No Lead
温度: 150°C (TJ)