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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.747054 +100：￥0.498036 +300：￥0.41503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.465069 +50：￥0.374324 +150：￥0.328951 +500：￥0.294922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

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	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.35574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

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	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册	+1：￥1.253232 +100：￥0.72432 +1500：￥0.459216 +3000：￥0.332064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.273749 +6000：￥0.253949 +9000：￥0.210611 +30000：￥0.206873 +75000：￥0.185789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.669661 +6000：￥0.621226 +9000：￥0.515212 +30000：￥0.506066 +75000：￥0.454489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.000525 +10：￥2.72893 +100：￥1.333032 +500：￥1.112147 +1000：￥0.772817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.000525 +10：￥2.72893 +100：￥1.333032 +500：￥1.112147 +1000：￥0.772817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-85 供应商器件封装： UMT3F

Mouser

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	RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F 下载数据手册晶体管	+1：￥4.573201 +10：￥3.119577 +100：￥1.273964 +1000：￥0.898308 +3000：￥0.702314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3F 封装/外壳： SC-85 温度： 150°C（TJ）

RU1C001ZPTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3F
封装/外壳:	SC-85
温度:	150°C（TJ）