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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥76.206816 +100：￥62.076816 +200：￥49.788432 +300：￥44.453952 +500：￥41.262912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+6：￥48.648557 +10：￥26.758426 +50：￥24.076051 +100：￥18.893261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥20.550533 +2000：￥20.016752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.921465 +10：￥34.93047 +100：￥28.623958 +500：￥24.367062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.371748 +10：￥21.476296 +100：￥20.806075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册未分类	+1：￥52.455924 +10：￥44.081937 +25：￥41.55394 +100：￥35.707948 +250：￥33.811952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 12A, 600V, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥31.255149 +10：￥26.191252 +100：￥21.281194 +500：￥18.935134 +1000：￥16.101915	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 12A, 600V, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥31.786094 +10：￥26.721278 +100：￥21.621525 +500：￥19.211375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6012JNJGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	390mOhm 6A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	28 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C (TJ)