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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥46.358488 +100：￥31.350374 +500：￥23.012506 +1000：￥16.675736 +2000：￥15.841925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+6：￥48.648557 +10：￥26.758426 +50：￥24.076051 +100：￥18.893261	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥23.563452 +2000：￥22.951415	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.627751 +10：￥40.051636 +100：￥32.820523 +500：￥27.939524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.651675 +10：￥24.624941 +100：￥23.856459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 12A POWER MOSFET; R6012 下载数据手册未分类	+1：￥54.078336 +10：￥45.445348 +25：￥42.839163 +100：￥36.812361 +250：￥34.857723	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390mOhm 6A, 15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 28 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 12A, 600V, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥31.864992 +10：￥26.702289 +100：￥21.696427 +500：￥19.304591 +1000：￥16.416091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6012JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 12A, 600V, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥33.03249 +10：￥27.769072 +100：￥22.469348 +500：￥19.964691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6012JNJGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	390mOhm 6A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	28 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C (TJ)