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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RRQ020P03TCR_null
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
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￥5.068564

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￥2.92962

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￥1.857476

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￥1.342927

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT6（SC-95）

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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RRQ020P03TCR_晶体管-FET，MOSFET-单个
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
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￥0.819902

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT6（SC-95）

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RRQ020P03TCR_晶体管-FET，MOSFET-单个
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
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￥2.005699

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT6（SC-95）

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： 150°C（TJ）

RRQ020P03TCR_未分类
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6

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未分类
+3000：

￥1.916216

+6000：

￥1.818748

+9000：

￥1.688837

+30000：

￥1.649822

+75000：

￥1.607804

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 2A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.25W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT6 (SC-95)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.2 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 230 pF @ 10 V

RRQ020P03TCR_未分类
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6

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未分类
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￥5.716633

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￥4.859139

+100：

￥3.377102

+500：

￥2.637083

+1000：

￥2.143452

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 2A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.25W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT6 (SC-95)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.2 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 230 pF @ 10 V

RRQ020P03TCR_未分类
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6

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未分类
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￥5.716633

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￥4.859139

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￥3.377102

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￥2.637083

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￥2.143452

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 160mOhm @ 2A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.25W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT6 (SC-95)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 3.2 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 230 pF @ 10 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
RRQ020P03TCR_晶体管
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6

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晶体管
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￥6.534942

+10：

￥5.554703

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￥3.871955

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￥3.022412

+1000：

￥2.450604

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT6（SC-95）

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： 150°C（TJ）

RRQ020P03TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.2 nC 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 230 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSMT6（SC-95）
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度: 150°C（TJ）