RRL025P03TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RRL025P03TR 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册	+1：￥8.147952 +100：￥4.70952 +1500：￥2.98584 +3000：￥2.158704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.547965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.340467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.340467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6
RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.340467	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRL025P03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.2 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

RRL025P03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.2 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	480 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT6
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）