类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 4A

功率(Pd)： 1.66W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 75mΩ@10V,1.9A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.1nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 180pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)： 13pF@30V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 4A

功率(Pd)： 1.66W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 75mΩ@10V,1.9A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.1nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 180pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)： 13pF@30V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSMT3

封装/外壳： SC-96

温度： 150°C（TJ）