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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.239961 +200：￥3.533321 +500：￥2.82656 +1000：￥2.355507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.236908 +6000：￥4.097993 +9000：￥4.028535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥15.829862 +50：￥14.240275 +100：￥11.309414 +500：￥10.166861 +1000：￥9.670234	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.299996 +6000：￥3.214282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.072664 +6000：￥7.862986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.984501 +10：￥17.015217 +100：￥13.262234 +500：￥10.95576 +1000：￥8.649284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3L090GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管	+1：￥23.207086 +10：￥19.121333 +100：￥14.757745 +500：￥12.502409 +1000：￥10.181701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1260 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3L090GNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R 下载数据手册未分类	+59：￥13.881364 +100：￥13.26005 +250：￥12.728439 +500：￥12.269536 +1000：￥11.869175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ3L090GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.9mOhm 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1260 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）