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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.325788 +200：￥47.610115 +500：￥46.025661 +1000：￥45.238898	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥99.284141 +10：￥54.59305 +50：￥49.145357 +100：￥38.548051 +500：￥37.852531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥109.511479 +10：￥93.842473 +100：￥78.207779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM 下载数据手册晶体管	+1：￥125.187517 +10：￥107.373629 +25：￥101.817001 +100：￥89.396308 +250：￥86.617995	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+17：￥44.134068 +25：￥42.238022 +50：￥40.629025 +100：￥39.250427 +250：￥38.059732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	R6020FNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+15：￥21.429667 +50：￥20.104892 +100：￥19.984971 +200：￥19.864108 +500：￥19.14176	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 20A, TO-220FM-3 下载数据手册未分类	+1：￥64.597468 +10：￥55.398705 +25：￥52.551471 +100：￥46.122643 +250：￥44.705468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥17.391383 +10：￥16.824276 +50：￥15.784571 +100：￥15.690053 +200：￥15.595535	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020FNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-220FM-3 下载数据手册未分类	+1：￥61.811552 +10：￥57.525784 +100：￥50.644423 +500：￥41.626218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6020FNX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2040 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）