RJU002N06FRAT106厂家价格_数据手册

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.347214 +10：￥1.145144 +30：￥0.943074 +100：￥0.774642 +500：￥0.673607	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册未分类	+1：￥0.857353 +10：￥0.755511 +30：￥0.711802 +100：￥0.657384 +500：￥0.633126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.806344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册未分类	+5：￥4.077776 +100：￥2.230437 +500：￥1.483012 +1000：￥1.125051 +3000：￥0.87345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.444556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.087501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）
RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.375395 +10：￥4.73196 +100：￥2.683333 +500：￥1.77661 +1000：￥1.362068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON 下载数据手册未分类	+1：￥7.959789 +10：￥5.90351 +100：￥2.703012 +1000：￥2.10603 +3000：￥1.790954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RJU002N06FRAT106 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 0.2A, UMT3 下载数据手册未分类	+5：￥3.690439 +100：￥2.09326 +500：￥1.43988 +1000：￥1.10471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RJU002N06FRAT106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.3 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	18 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	150°C（TJ）