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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.807675 +100：￥0.546194 +800：￥0.400873 +3000：￥0.290521 +6000：￥0.276001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.375989 +100：￥0.31017 +300：￥0.277261 +1000：￥0.252579 +5000：￥0.232834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.936782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.201207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.431119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.05463	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）
RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.700702 +10：￥4.221234 +100：￥2.388866 +500：￥1.582082 +1000：￥1.212894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.700702 +10：￥4.221234 +100：￥2.388866 +500：￥1.582082 +1000：￥1.212894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	RHU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥1.111056 +9000：￥0.928642 +24000：￥0.895477 +45000：￥0.812562 +99000：￥0.762813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

RHU002N06T106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	150°C（TJ）