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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册	+1：￥8.228563 +100：￥4.756147 +1500：￥3.01536 +3000：￥2.180045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 295 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.963065 +6000：￥0.900955 +15000：￥0.838786 +30000：￥0.795308 +75000：￥0.776675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 295 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.355913 +6000：￥2.203974 +15000：￥2.051892 +30000：￥1.945534 +75000：￥1.899953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 295 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.656345 +10：￥5.701303 +100：￥4.255721 +500：￥3.343801 +1000：￥2.583965	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8
RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.656345 +10：￥5.701303 +100：￥4.255721 +500：￥3.343801 +1000：￥2.583965	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RF4E080GNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管	+1：￥7.609169 +10：￥6.517418 +100：￥4.879792 +500：￥3.837668 +1000：￥2.960959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 295 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

RF4E080GNTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17.6 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	295 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	HUML2020L8
封装/外壳:	8-PowerUDFN
温度:	150°C（TJ）