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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.787701 +50：￥1.455731 +150：￥1.313458 +500：￥1.13589	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 11mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 11mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.43844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 11mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.965069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 11mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.144318 +10：￥9.144056 +100：￥7.11522 +500：￥6.030792 +1000：￥5.965069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.144318 +10：￥9.144056 +100：￥7.11522 +500：￥6.030792 +1000：￥5.965069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT 下载数据手册未分类	+1：￥12.73963 +10：￥10.45303 +100：￥8.133765 +500：￥6.908801 +1000：￥6.827136	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 18A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 11mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4290 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

RQ3E180AJTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 18A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 11mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4290 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta），30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）