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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.281049 +30：￥0.271359 +100：￥0.251977 +500：￥0.232595 +1000：￥0.222903	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.593989 +500：￥0.40172 +1000：￥0.294877 +3000：￥0.213686 +6000：￥0.203038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册未分类	+10：￥0.360519 +100：￥0.319104 +300：￥0.298397 +3000：￥0.282867	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.343882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.458687 +6000：￥0.412818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.12207 +6000：￥1.009862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.092042 +10：￥4.49111 +100：￥2.541655 +500：￥1.683105 +1000：￥1.290379	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F 下载数据手册晶体管	+1：￥6.366269 +10：￥4.472712 +100：￥1.844586 +1000：￥1.371196 +3000：￥1.093693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 115 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -40°C # 150°C（TJ）

RE1C002ZPTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	115 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	EMT3F（SOT-416FL）
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
温度:	-40°C # 150°C（TJ）