RTU002P02T106厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RTU002P02T106 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.144539 +100：￥0.773311 +800：￥0.566764 +3000：￥0.412973 +6000：￥0.392282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.756692 +50：￥0.626565 +150：￥0.561502 +500：￥0.512705 +2500：￥0.473667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.438746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.443022 +50：￥0.339573 +150：￥0.320572 +500：￥0.301571 +2500：￥0.293126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.08375 +50：￥0.830686 +150：￥0.784203 +500：￥0.737722 +2500：￥0.717065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）
RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.08375 +50：￥0.830686 +150：￥0.784203 +500：￥0.737722 +2500：￥0.717065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.08375 +50：￥0.830686 +150：￥0.784203 +500：￥0.737722 +2500：￥0.717065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTU002P02T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 250mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

RTU002P02T106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 250mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	150°C（TJ）