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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RUF025N02FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
RUF025N02FRATL
授权代理品牌
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¥1.013254

+200:

¥0.844338

+500:

¥0.675422

+1000:

¥0.562892

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 370 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RUF025N02FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.982961

+6000:

¥1.855029

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 370 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

温度: 150°C(TJ)

RUF025N02FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥5.556682

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¥4.794254

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¥3.582123

+500:

¥2.814524

+1000:

¥2.17486

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TUMT3

RUF025N02FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥4.794254

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¥3.582123

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¥2.814524

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¥2.17486

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TUMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RUF025N02FRATL_未分类
RUF025N02FRATL
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

未分类

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¥5.866469

+10:

¥5.075178

+100:

¥3.79274

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¥2.974163

+1000:

¥2.305659

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 2.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 370 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

温度: 150°C(TJ)

RUF025N02FRATL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 54 毫欧 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 370 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 800mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TUMT3
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
温度: 150°C(TJ)