品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TUMT3

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TUMT3

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TUMT3

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TUMT3

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TUMT3

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

温度： 150°C（TJ）