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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.671963 +10：￥0.647079 +100：￥0.587346 +500：￥0.55748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 RTR025N03TL QZ SOT-346T 下载数据手册未分类	+500：￥1.900547 +1000：￥1.285262 +1500：￥0.943437 +3000：￥0.68365 +6000：￥0.649528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.569184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR025N03TL 授权代理品牌	RTR025N03TL VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.357707 +100：￥0.344972 +500：￥0.333396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.554271 +6000：￥0.54501 +9000：￥0.535749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.916839 +200：￥0.6316 +1500：￥0.574298 +3000：￥0.536096 +45000：￥0.532277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL 授权代理品牌	RTR025N03TL UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.319505 +6000：￥0.297973 +9000：￥0.277136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.707077 +9000：￥0.69527 +15000：￥0.683462 +30000：￥0.67177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RTR025N03TL JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.332817 +3000：￥0.327029 +9000：￥0.318347 +15000：￥0.309665 +81000：￥0.298089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

RTR025N03TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	92 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	220 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR025N03TL 授权代理品牌	RTR025N03TL VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.357707 +100：￥0.344972 +500：￥0.333396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.554271 +6000：￥0.54501 +9000：￥0.535749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.916839 +200：￥0.6316 +1500：￥0.574298 +3000：￥0.536096 +45000：￥0.532277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL 授权代理品牌	RTR025N03TL UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.319505 +6000：￥0.297973 +9000：￥0.277136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025N03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.707077 +9000：￥0.69527 +15000：￥0.683462 +30000：￥0.67177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 92 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： 12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025N03TL JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RTR025N03TL JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.332817 +3000：￥0.327029 +9000：￥0.318347 +15000：￥0.309665 +81000：￥0.298089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数