品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)

品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.7mOhm 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

封装/外壳： 8-PowerVDFN

温度： 150°C (TJ)