RUE002N02TL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RUE002N02TL 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.23212 +10：￥0.223322 +100：￥0.202221 +500：￥0.191681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.665379 +500：￥0.449999 +1000：￥0.33033 +3000：￥0.239338 +6000：￥0.227359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.257025 +100：￥0.230529 +300：￥0.226348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.29645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.212888 +30000：￥0.20652	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.40621 +200：￥0.262318 +1500：￥0.227936 +3000：￥0.201196 +45000：￥0.199922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.470922 +9000：￥0.46305 +15000：￥0.455178 +30000：￥0.447422	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+130：￥2.136154 +500：￥1.32313 +1000：￥1.271635 +2000：￥1.168474 +4000：￥1.168474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.46619 +6000：￥0.44571 +9000：￥0.385495 +30000：￥0.378222 +75000：￥0.313178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.140423 +6000：￥1.090325 +9000：￥0.943022 +30000：￥0.925231 +75000：￥0.766117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

RUE002N02TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	25 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	EMT3
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.212888 +30000：￥0.20652	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.40621 +200：￥0.262318 +1500：￥0.227936 +3000：￥0.201196 +45000：￥0.199922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RUE002N02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.470922 +9000：￥0.46305 +15000：￥0.455178 +30000：￥0.447422	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 200mA，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）