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RTF025N03FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
RTF025N03FRATL
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

温度: 150°C

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RTF025N03FRATL
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国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

温度: 150°C

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

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Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

温度: 150°C

自营 国内现货
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RTF025N03FRATL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TUMT3

封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

温度: 150°C

Digi-Key
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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

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封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

温度: 150°C

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C

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封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

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系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

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Mouser
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RTF025N03FRATL_晶体管
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2.5V DRIVE NCH MOSFET

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

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系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800mW (Ta)

工作温度: 150°C

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封装/外壳: 3-SMD, Flat Leads

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RTF025N03FRATL_未分类
RTF025N03FRATL
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MOSFETs Nch 30V Vds 2.5A 0.07Rds(on) 3.7Qg

未分类

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RTF025N03FRATL_未分类
RTF025N03FRATL
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RTF025N03FRATL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 67mOhm 2.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.2 nC 4.5 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF 10 V
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功率耗散(最大值): 800mW (Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: Surface Mount
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