RSE002P03TL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.188099 +100：￥0.80344 +800：￥0.589754 +3000：￥0.427372 +6000：￥0.405955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

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	RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册未分类	+131：￥1.954097 +500：￥1.15686 +1000：￥1.127769 +2000：￥1.040184 +4000：￥1.011936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.508796 +10：￥6.077874 +100：￥4.139755 +500：￥3.104389 +1000：￥2.328294	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSE002P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 下载数据手册未分类	+1：￥6.532238 +10：￥5.623405 +100：￥4.203353 +500：￥3.30872 +1000：￥2.556093	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

RSE002P03TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	EMT3
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	150°C（TJ）