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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.773158 +5000：￥1.679849 +12500：￥1.555398 +25000：￥1.530508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 870 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.337613 +5000：￥4.109357 +12500：￥3.804915 +25000：￥3.744027	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 870 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.47395 +10：￥9.898196 +100：￥6.849184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： CPT3
RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： CPT3
RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 870mOhm @ 1.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 850mW (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5.2V @ 1mA Supplier Device Package： CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 270 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RND030N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 下载数据手册晶体管	+1：￥15.256314 +10：￥13.432189 +100：￥9.170371 +500：￥7.661324 +1000：￥6.749262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 870 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RND030N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 3A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R 下载数据手册未分类	+71：￥4.282313 +100：￥4.041734 +200：￥4.030185 +500：￥3.512461 +1000：￥3.344054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RND030N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥4.628213 +50：￥3.397204 +100：￥3.206349 +200：￥3.196806 +500：￥2.786471	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RND030N20TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	870 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	CPT3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）