RE1E002SPTCL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.306903 +10：￥0.295536 +100：￥0.26826 +500：￥0.254623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.732776 +100：￥0.494648 +800：￥0.362274 +3000：￥0.264748 +6000：￥0.251317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册未分类	+5：￥0.379336 +50：￥0.339532 +150：￥0.333252 +500：￥0.273484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.249018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）
	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册未分类	+1：￥0.418646 +150：￥0.291008 +1500：￥0.244526 +3000：￥0.210904 +18000：￥0.206688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.348391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.852256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： EMT3F（SOT-416FL）封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： 150°C（TJ）
RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.886317 +10：￥3.976918 +100：￥2.111975 +500：￥1.389614 +1000：￥0.944961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)
RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.886317 +10：￥3.976918 +100：￥2.111975 +500：￥1.389614 +1000：￥0.944961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： EMT3F (SOT-416FL)

RE1E002SPTCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	EMT3F（SOT-416FL）
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
温度:	150°C（TJ）