RQ5H030TNTL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 RQ5H030TNTL 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.99985 +10：￥4.666607 +30：￥3.888819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.796762 +10：￥6.108344 +30：￥5.725889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.463603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.504136 +6000：￥3.319753 +9000：￥3.073861 +30000：￥3.043391	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.254755 +10：￥7.987565 +100：￥5.53292 +500：￥4.623107 +1000：￥3.934553	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.254755 +10：￥7.987565 +100：￥5.53292 +500：￥4.623107 +1000：￥3.934553	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥10.416767 +10：￥8.072993 +100：￥6.152403 +500：￥5.273488 +1000：￥4.492232	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 510 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 45V 3A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+47：￥6.580382 +50：￥3.210825 +100：￥2.931375 +200：￥2.920918 +500：￥2.375326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RQ5H030TNTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 45V 3A 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+172：￥4.532034 +250：￥4.349536 +500：￥4.192703 +1000：￥4.05678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5H030TNTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥5.166856 +50：￥2.52158 +100：￥2.302724 +200：￥2.293209 +500：￥1.865017	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ5H030TNTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	67 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	510 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）