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QS5W2TR_双极晶体管预偏置
QS5W2TR
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

温度: 150°C(TJ)

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QS5W2TR_未分类
QS5W2TR
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TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

温度: 150°C(TJ)

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QS5W2TR_双极晶体管预偏置
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

温度: 150°C(TJ)

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QS5W2TR_null
QS5W2TR
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TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

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QS5W2TR_双极晶体管预偏置
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

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温度: 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

温度: 150°C(TJ)

QS5W2TR_双极晶体管预偏置
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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

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¥7.424486

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¥5.696631

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¥3.602844

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

Mouser
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TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5

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¥7.756531

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

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QS5W2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
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零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)共发射极
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,3V
功率 - 最大值: 1.25W
频率 - 跃迁: 320MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
供应商器件封装: TSMT5
温度: 150°C(TJ)