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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QST2TR_双极性晶体管
QST2TR
授权代理品牌
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¥4.54113

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¥3.07098

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¥2.25423

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¥1.6335

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¥1.551825

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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QST2TR_双极性晶体管
QST2TR
授权代理品牌
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¥1.87949

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

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QST2TR_双极性晶体管
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

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QST2TR_未分类
QST2TR
授权代理品牌

TRANS PNP 12V 6A TSMT6

未分类

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¥0.307766

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

QST2TR_未分类
QST2TR
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TRANS PNP 12V 6A TSMT6

未分类

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¥1.662459

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¥1.652656

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¥1.594371

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¥1.536086

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¥1.513109

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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QST2TR_双极性晶体管
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¥1.513331

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¥1.327458

+30000:

¥1.314314

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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QST2TR_双极性晶体管
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¥3.702009

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¥3.21516

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

QST2TR_双极性晶体管
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)

QST2TR_双极性晶体管
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)

Mouser
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QST2TR_未分类
QST2TR
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TRANS PNP 12V 6A TSMT6

未分类

+3000:

¥4.29613

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¥3.985762

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¥3.855081

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¥3.708067

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V

功率 - 最大值: 1.25 W

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6(SC-95)

温度: 150°C(TJ)

QST2TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 60mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 500mA,2V
功率 - 最大值: 1.25 W
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: TSMT6(SC-95)
温度: 150°C(TJ)