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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.16298 +200：￥2.458636 +500：￥2.382145 +1000：￥2.338436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册	+1：￥10.967616 +100：￥6.21864 +1500：￥3.942576 +3000：￥2.937312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.093108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.120296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.120296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.120296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8JA1TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册晶体管	+1：￥14.051099 +10：￥11.485959 +100：￥8.953493 +500：￥7.581058 +1000：￥6.17595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 720pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

QH8JA1TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	38 毫欧 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	720pF 10V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	-55°C # 150°C（TJ）