搜索 QS8M11TCR 共 5 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | QS8M11TCR 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | +1： ￥2.344227 +200： ￥0.935374 +500： ￥0.904123 +1000： ￥0.888715 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | +3000： ￥4.207761 | ||
 | 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | +1： ￥10.483982 +10： ￥9.251406 +25： ￥8.698872 +100： ￥6.311641 +250： ￥6.087509 | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 | |
 | 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | 1+: | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： - 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| QS8M11TCR 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | 1+: |
QS8M11TCR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | TSMT8 |
| 温度: | - |