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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS8J13TR_射频晶体管
QS8J13TR
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

射频晶体管

+1:

¥6.676562

+10:

¥5.540126

+30:

¥4.971908

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

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QS8J13TR_null
QS8J13TR
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

+1:

¥11.854656

+100:

¥6.721632

+1500:

¥4.261536

+3000:

¥3.174768

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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QS8J13TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

射频晶体管

+3000:

¥1.832539

+6000:

¥1.736052

+9000:

¥1.607443

+30000:

¥1.591556

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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QS8J13TR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

射频晶体管

+3000:

¥4.482875

+6000:

¥4.246843

+9000:

¥3.932231

+30000:

¥3.893368

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

QS8J13TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

射频晶体管

+1:

¥11.858698

+10:

¥10.229915

+100:

¥7.078072

+500:

¥5.914205

+1000:

¥5.033375

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

QS8J13TR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

射频晶体管

+1:

¥11.858698

+10:

¥10.229915

+100:

¥7.078072

+500:

¥5.914205

+1000:

¥5.033375

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

Mouser
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QS8J13TR_晶体管
QS8J13TR
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

晶体管

+1:

¥13.392944

+10:

¥11.694327

+100:

¥8.084765

+500:

¥6.745472

+1000:

¥5.569505

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS8J13TR_未分类
QS8J13TR
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, 双路 P沟道, -12V, -5.5A, TSMT-8

未分类

+1:

¥7.881293

+10:

¥6.901032

+100:

¥4.770601

+500:

¥3.973322

+1000:

¥3.019202

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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QS8J13TR_未分类
QS8J13TR
授权代理品牌
+5:

¥4.330411

+50:

¥3.178808

+100:

¥3.007496

+200:

¥2.122379

+500:

¥2.11286

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

QS8J13TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 5.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300pF 6V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C(TJ)