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搜索 QH8KA2TCR 共 9 条相关记录
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QH8KA2TCR_射频晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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射频晶体管
+1：

￥1.908533

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￥1.590545

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￥1.272436

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￥1.060323

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

自营 现货库存
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QH8KA2TCR_射频晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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射频晶体管
+1：

￥1.958495

+200：

￥0.757915

+500：

￥0.731253

+1000：

￥0.71814

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Digi-Key
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QH8KA2TCR_射频晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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30V NCH+NCH POWER MOSFET

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射频晶体管
+3000：

￥3.54897

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

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工作温度： -

封装/外壳： -

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QH8KA2TCR_射频晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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射频晶体管
+1：

￥8.986847

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￥7.81713

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￥5.413506

+500：

￥4.52338

+1000：

￥3.849652

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

QH8KA2TCR_射频晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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30V NCH NCH POWER MOSFET

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射频晶体管
1+:

需询价

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货期：7~10 天

系列： *

安装类型： -

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封装/外壳： -

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QH8KA2TCR_未分类
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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未分类
+3000：

￥3.962486

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￥3.753935

+9000：

￥3.475771

+30000：

￥3.441392

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货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-SMD, Flat Lead

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.1W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 365pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.4nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT8

Part Status： Active

QH8KA2TCR_未分类
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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30V NCH+NCH POWER MOSFET

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未分类
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￥10.413329

+10：

￥9.043906

+100：

￥6.256557

+500：

￥5.227492

+1000：

￥4.449059

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-SMD, Flat Lead

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.1W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 365pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.4nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT8

Part Status： Active

QH8KA2TCR_未分类
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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未分类
+1：

￥10.413329

+10：

￥9.043906

+100：

￥6.256557

+500：

￥5.227492

+1000：

￥4.449059

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-SMD, Flat Lead

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.1W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.5A (Ta)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 365pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 35mOhm @ 4.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.4nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： TSMT8

Part Status： Active

Mouser
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QH8KA2TCR_晶体管
QH8KA2TCR
Rohm Semiconductor(罗姆)
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晶体管
+3000：

￥4.598513

+6000：

￥4.272377

+9000：

￥3.962548

+24000：

￥3.929934

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

安装类型： -

工作温度： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

QH8KA2TCR参数规格

属性 参数值
系列: *
安装类型: -
工作温度: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -