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搜索 QS6K21TR 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥3.392064 +100：￥2.883312 +300：￥2.374416 +800：￥1.95048 +3000：￥1.696032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册	+1：￥4.928199 +10：￥4.414617 +30：￥4.141435 +100：￥3.813617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.711554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.518407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.623801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.413614 +10：￥6.350996 +25：￥5.925949 +100：￥4.401216 +250：￥4.181279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K21TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6 下载数据手册未分类	+1：￥9.115668 +10：￥7.455799 +100：￥5.714298 +500：￥4.829943 +1000：￥3.877559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 45V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： -55°C # 150°C（TJ）

QS6K21TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	45V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）