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搜索 QS6M4TR 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.157405 +50：￥1.078025 +200：￥1.011875 +600：￥0.945725 +1500：￥0.892805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 QS6M4TR SOT-457T 下载数据手册未分类	+1500：￥1.509475 +3000：￥1.09384 +15000：￥0.984456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+5：￥1.464473 +50：￥1.17184 +150：￥1.046505 +500：￥0.890026 +3000：￥0.780207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.004421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥1.178119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）
	QS6M4TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	QS6M4TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.821797 +500：￥0.807463 +9000：￥0.786066 +24000：￥0.771732 +45000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.007134 +6000：￥0.990348 +9000：￥0.973563 +12000：￥0.956777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.180778 +6000：￥1.161098 +9000：￥1.141418 +12000：￥1.121739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）
	QS6M4TR 授权代理品牌	QS6M4TR VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.941844 +50：￥0.910472 +200：￥0.871229 +3000：￥0.847614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6M4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.266653 +6000：￥1.199953 +9000：￥1.111079 +30000：￥1.100078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V，20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 1.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 80pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

QS6M4TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	80pF 10V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
温度:	150°C（TJ）