搜索 QS6M4TR 共 17 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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QS6M4TR 授权代理品牌 | MOS场效应管 QS6M4TR SOT-457T | +1500: ¥1.898496 +3000: ¥1.356048 +6000: ¥1.356048 | 暂无参数 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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QS6M4TR 授权代理品牌 | +3000: ¥1.178119 | ||||
QS6M4TR 授权代理品牌 | +10: ¥0.821797 +500: ¥0.807463 +9000: ¥0.786066 +24000: ¥0.771732 +45000: ¥0.714605 | 暂无参数 | |||
QS6M4TR 授权代理品牌 | +3000: ¥1.007134 +6000: ¥0.990348 +9000: ¥0.973563 +12000: ¥0.956777 | ||||
QS6M4TR 授权代理品牌 | +3000: ¥1.180778 +6000: ¥1.161098 +9000: ¥1.141418 +12000: ¥1.121739 | ||||
QS6M4TR | +10: ¥0.941844 +50: ¥0.910472 +200: ¥0.871229 +3000: ¥0.847614 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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QS6M4TR 授权代理品牌 | +1: ¥9.556186 +100: ¥5.418317 +1500: ¥3.435264 +3000: ¥2.559341 |
自营 国内现货
QS6M4TR参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V,20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 230 毫欧 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.6nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 80pF 10V |
功率 - 最大值: | 1.25W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | TSMT6(SC-95) |
温度: | 150°C(TJ) |