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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.455881 +200：￥2.879921 +500：￥2.30384 +1000：￥1.919907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.518581 +200：￥1.365909 +500：￥1.3222 +1000：￥1.300345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.675674 +6000：￥2.606176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

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	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C (TJ)
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M13TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 下载数据手册晶体管	+1：￥18.73867 +10：￥14.576364 +100：￥11.193453 +500：￥8.838682 +1000：￥8.805518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N and P-Channel FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A, 5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28mOhm 6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C (TJ)

QS8M13TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N and P-Channel
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A, 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28mOhm 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.5nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	390pF 10V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	150°C (TJ)