系列： *

频率： -

安装类型： -

电压-额定： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

品牌： Qorvo

包装： Tray

封装/外壳： NI-360

系列： QPD1008L

产品种类： 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

晶体管类型： HEMT

技术： GaN-on-SiC

工作频率： 3.2 GHz

增益： 17.5 dB

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 50 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： 145 V

Id-连续漏极电流： 4 A

输出功率： 162 W

Pd-功率耗散： 127 W

安装风格： Screw Mount

商标： Qorvo

配置： Single

开发套件： QPD1008LPCB401

湿度敏感性： Yes

工作温度范围： - 40 C to + 85 C

产品类型： RF JFET Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压： - 2.8 V

温度： - 40 C~+ 85 C