QS5U17TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.737197 +200：￥1.447644 +500：￥1.158091 +1000：￥0.965096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册	+1：￥7.45632 +100：￥4.227696 +1500：￥2.680416 +3000：￥1.996848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.608998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.936035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 温度： 150°C（TJ）
QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.936035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 供应商器件封装： TSMT5
QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.936035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 供应商器件封装： TSMT5

Mouser

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	QS5U17TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 900mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 温度： 150°C（TJ）

QS5U17TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	175 pF 10 V
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	900mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT5
封装/外壳:	SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
温度:	150°C（TJ）