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自营 国内现货
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QH8K26TR_射频晶体管
授权代理品牌

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

射频晶体管

+3000:

¥2.396214

+6000:

¥2.333975

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38mOhm 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.9nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 275pF 20V

功率 - 最大值: 1.1W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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QH8K26TR_射频晶体管
授权代理品牌

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

射频晶体管

+3000:

¥5.861776

+6000:

¥5.70952

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38mOhm 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.9nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 275pF 20V

功率 - 最大值: 1.1W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

QH8K26TR_射频晶体管
授权代理品牌

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

射频晶体管

+1:

¥13.841261

+10:

¥12.350663

+100:

¥9.630323

+500:

¥7.955265

+1000:

¥6.280472

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

QH8K26TR_射频晶体管
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射频晶体管

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¥13.841261

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¥12.350663

+100:

¥9.630323

+500:

¥7.955265

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¥6.280472

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

Mouser
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QH8K26TR_未分类
QH8K26TR
授权代理品牌

QH8K26 IS LOW ON-RESISTANCE AND

未分类

+1:

¥14.465013

+10:

¥13.032555

+100:

¥10.167639

+500:

¥8.398133

+1000:

¥6.628627

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38mOhm 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.9nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 275pF 20V

功率 - 最大值: 1.1W(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

QH8K26TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 38mOhm 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.9nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 275pF 20V
功率 - 最大值: 1.1W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C(TJ)