QS8J4TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 QS8J4TR 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.682792 +10：￥7.788528 +30：￥6.49044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册	+1：￥12.522651 +10：￥10.828925 +30：￥9.768979 +100：￥8.68718 +500：￥8.195453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.39539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册	+1：￥14.661216 +100：￥8.474256 +1500：￥5.37264 +3000：￥3.8844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.493733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥6.100331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.041212 +10：￥13.447501 +100：￥9.396422 +500：￥7.577415 +1000：￥6.981381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.041212 +10：￥13.447501 +100：￥9.396422 +500：￥7.577415 +1000：￥6.981381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 下载数据手册晶体管	+1：￥16.748722 +10：￥12.636166 +100：￥8.987929 +500：￥7.329639 +1000：￥7.047731	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800pF 10V 功率 - 最大值： 550mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8J4TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	90004003,场效应管, MOSFET, 双 P沟道, 30V, 4A, TSMT 下载数据手册未分类	+1：￥7.14533 +10：￥5.837942 +100：￥4.5435 +500：￥4.465833 +1000：￥4.375222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

QS8J4TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	56 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	800pF 10V
功率 - 最大值:	550mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	150°C（TJ）