锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 QS5U28TR8 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
QS5U28TR
授权代理品牌
+1:

¥1.89728

+200:

¥1.581107

+500:

¥1.264813

+1000:

¥1.054031

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
QS5U28TR
授权代理品牌
+1:

¥1.946693

+200:

¥0.753436

+500:

¥0.726882

+1000:

¥0.713879

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_null
QS5U28TR
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

+1:

¥8.144352

+100:

¥4.617792

+1500:

¥2.927664

+3000:

¥2.181168

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥1.748588

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.277508

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.277508

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

QS5U28TR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.277508

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供应商器件封装: TSMT5

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS5U28TR_晶体管
QS5U28TR
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: P-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V

FET 功能: Schottky Diode (Isolated)

功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TSMT5

封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

温度: 150°C (TJ)

QS5U28TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A (Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125mOhm 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.8 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 450 pF 10 V
FET 功能: Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值): 1.25W (Ta)
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TSMT5
封装/外壳: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
温度: 150°C (TJ)