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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.737126 +200：￥1.497036 +500：￥1.4424 +1000：￥1.420545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.25W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 温度： 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册	+1：￥6.058656 +100：￥3.501936 +1500：￥2.220192 +3000：￥1.605168	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.25W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.405553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.25W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.438354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.25W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 温度： 150°C (TJ)
QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.438354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 供应商器件封装： TSMT5
QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.438354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 供应商器件封装： TSMT5

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS5U13TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 175 pF 10 V FET 功能： Schottky Diode (Isolated) 功率耗散（最大值）： 1.25W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TSMT5 封装/外壳： SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 温度： 150°C (TJ)

QS5U13TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100mOhm 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	175 pF 10 V
FET 功能:	Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）:	1.25W (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	TSMT5
封装/外壳:	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
温度:	150°C (TJ)