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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.99001 +10：￥0.803373 +30：￥0.723385 +100：￥0.62362 +500：￥0.579145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册未分类	+55：￥2.405954 +100：￥1.276658 +500：￥0.839599 +1000：￥0.570793 +2500：￥0.454154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.470691 +500：￥0.313717 +5000：￥0.271695 +10000：￥0.246575 +60000：￥0.245186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2420：￥0.44496 +5000：￥0.364781 +10000：￥0.32279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.242518 +30000：￥0.238196 +50000：￥0.213956 +100000：￥0.189716 +250000：￥0.185452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.468138 +20000：￥0.43693 +30000：￥0.420713 +50000：￥0.403579 +70000：￥0.365944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.671673 +10：￥2.141808 +100：￥1.092322 +500：￥0.907823 +1000：￥0.799355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： DFN1006B-3
NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.671673 +10：￥2.141808 +100：￥1.092322 +500：￥0.907823 +1000：￥0.799355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： DFN1006B-3
NX7002BKMBYL NXP(恩智浦) 授权代理品牌	NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE 下载数据手册未分类	+8904：￥0.45896	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 3-XFDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.8Ohm @ 200mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA Supplier Device Package： DFN1006B-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 23.6 pF @ 10 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKMBYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3 下载数据手册未分类	+1：￥3.979895 +10：￥2.321605 +100：￥1.160803 +500：￥1.044722 +1000：￥0.779398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DFN1006B-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NX7002BKMBYL参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.6 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta），3.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DFN1006B-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）