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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 NX7002BKMYL SOT-883 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.901872 +100：￥0.759024 +300：￥0.493776 +1000：￥0.407232 +10000：￥0.268848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.049345 +10：￥0.851562 +30：￥0.766767 +100：￥0.660881 +500：￥0.613785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.200618 +100：￥0.185735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+10000：￥0.229665 +30000：￥0.225554 +40000：￥0.22155 +100000：￥0.217438 +150000：￥0.215436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.376907 +150：￥0.262655 +1000：￥0.237148 +5000：￥0.221865 +10000：￥0.209113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.313832 +500：￥0.208836 +5000：￥0.182557 +10000：￥0.162531 +60000：￥0.161257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.267412 +100000：￥0.257919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2420：￥0.392602 +5000：￥0.321754 +10000：￥0.284774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.249407 +30000：￥0.24497 +50000：￥0.220001 +100000：￥0.195103 +250000：￥0.190667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.412949 +30000：￥0.405598 +50000：￥0.364351 +100000：￥0.323107 +250000：￥0.315756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NX7002BKMYL参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.6 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta），3.1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-883
封装/外壳:	SC-101，SOT-883
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+10000：￥0.229665 +30000：￥0.225554 +40000：￥0.22155 +100000：￥0.217438 +150000：￥0.215436	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.376907 +150：￥0.262655 +1000：￥0.237148 +5000：￥0.221865 +10000：￥0.209113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.313832 +500：￥0.208836 +5000：￥0.182557 +10000：￥0.162531 +60000：￥0.161257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKMYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.267412 +100000：￥0.257919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），3.1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-883 封装/外壳： SC-101，SOT-883 温度： -55°C # 150°C（TJ）