 | | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 晶体管射频 | | | 品牌: CEL 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V 频率 - 跃迁: 7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz 增益: 11.5dB 功率 - 最大值: 200mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 125 20mA,10V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |
 | | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 晶体管射频 | | | 系列: - 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 |
 | | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 晶体管射频 | | | 系列: - 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23 |
![NE85633-T1B-R25-A_未分类]() | NE85633-T1B-R25-A | SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL 未分类 | | | 品牌: Renesas 包装: Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Last Time Buy 晶体管类型: NPN 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V 频率 - 跃迁: 7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz 增益: 11.5dB 功率 - 最大值: 200mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 20mA, 10V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装: 3-MINIMOLD 温度: 150°C (TJ) |