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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.472223 +20：￥0.427946 +100：￥0.383682 +500：￥0.339405 +1000：￥0.318744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 NX3008NBK,215 KS SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.376794 +100：￥0.254826 +800：￥0.187066 +3000：￥0.13552 +6000：￥0.128744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.188376 +200：￥0.148893 +600：￥0.126958 +3000：￥0.113799 +9000：￥0.102391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.219373 +100：￥0.200497	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册	+1：￥0.761184 +100：￥0.507456 +1000：￥0.390384 +1500：￥0.345456 +3000：￥0.305712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.277661 +6000：￥0.25757 +9000：￥0.21359 +30000：￥0.209852 +75000：￥0.188476	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.679233 +6000：￥0.630084 +9000：￥0.522498 +30000：￥0.513354 +75000：￥0.461061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.000525 +10：￥2.771793 +100：￥1.353036 +500：￥1.128149 +1000：￥0.783819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.000525 +10：￥2.771793 +100：￥1.353036 +500：￥1.128149 +1000：￥0.783819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.573201 +10：￥3.168576 +100：￥1.290297 +1000：￥0.898308 +3000：￥0.653314	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta），1.14W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NX3008NBK,215参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.68 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta），1.14W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）