NX3008NBKW,115厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.287819 +50：￥0.266342 +200：￥0.248437 +600：￥0.230544 +1500：￥0.216222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.546678 +100：￥0.369655 +800：￥0.271403 +3000：￥0.196625 +6000：￥0.186824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.326641 +100：￥0.263373 +300：￥0.23174 +3000：￥0.208014 +6000：￥0.189033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.309518 +100：￥0.281083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册未分类	+55：￥2.339226 +100：￥0.983162 +1000：￥0.672868 +3000：￥0.52689 +9000：￥0.444679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.463513 +200：￥0.299246 +1500：￥0.261045 +3000：￥0.230483 +45000：￥0.227936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册	+540：￥0.742003 +1000：￥0.549677 +1500：￥0.45049 +3000：￥0.39865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.24104 +6000：￥0.223577 +9000：￥0.192038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.589649 +6000：￥0.546929 +9000：￥0.469777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260mW（Ta），830mW（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NX3008NBKW,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.571897 +10：￥2.400316 +100：￥1.17444 +500：￥0.978988 +1000：￥0.680375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SC-70

NX3008NBKW,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.68 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	260mW（Ta），830mW（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）