锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NX3008PBKW,11510 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+10:

¥1.148544

+100:

¥0.82008

+200:

¥0.621072

+500:

¥0.532368

+800:

¥0.4788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+10:

¥0.380913

+100:

¥0.306589

+300:

¥0.269426

+3000:

¥0.241555

+6000:

¥0.219257

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥0.287012

+100:

¥0.265837

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_null
NX3008PBKW,115
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V SOT323

+1:

¥0.944208

+100:

¥0.629424

+1000:

¥0.484128

+1500:

¥0.4284

+3000:

¥0.379152

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥0.42085

+6000:

¥0.390379

+9000:

¥0.323775

+30000:

¥0.318039

+75000:

¥0.285633

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥0.727226

+6000:

¥0.674574

+9000:

¥0.559482

+30000:

¥0.549571

+75000:

¥0.493573

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.3361

+10:

¥2.960938

+100:

¥1.448258

+500:

¥1.207666

+1000:

¥0.839221

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70

NX3008PBKW,115_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥4.3361

+10:

¥2.960938

+100:

¥1.448258

+500:

¥1.207666

+1000:

¥0.839221

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: SC-70

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_未分类
NX3008PBKW,115
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V SOT323

未分类

+1:

¥5.236326

+10:

¥4.109721

+100:

¥2.062796

+500:

¥1.396355

+1000:

¥0.95206

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-323

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NX3008PBKW,115_未分类
NX3008PBKW,115
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R

未分类

+3000:

¥0.524945

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NX3008PBKW,115参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 欧姆 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.72 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70,SOT-323
温度: -55°C # 150°C(TJ)