锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 NXPSC08650Q8 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_未分类
NXPSC08650Q
授权代理品牌
+1:

¥17.735248

+200:

¥6.869059

+500:

¥6.622588

+1000:

¥6.50471

库存: 1000 +

国内:1~2 天

二极管配置: 独立式

直流反向耐压(Vr): 650V

平均整流电流(Io): 8A

正向压降(Vf): 1.5V@8A

反向电流(Ir): 50μA@650V

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_null
NXPSC08650Q
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: TO-220AC

正向浪涌电流Ifsm: 385A

反向峰值电压Vrrm: 650V

反向电压Vr: 650V

正向电流If: 8A

正向电压Vf: 1.7V

反向漏电流Ir: 230uA

工作温度: -55℃~175℃

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_二极管整流器

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_二极管整流器

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_未分类
NXPSC08650Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_未分类
NXPSC08650Q
授权代理品牌

Rectifier Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC

未分类

+3000:

¥16.939347

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_未分类
NXPSC08650Q
授权代理品牌

碳化硅肖特基 二极管, 650V, 8A, TO-220AC

未分类

+1:

¥44.80723

+10:

¥37.581108

+100:

¥29.827532

+500:

¥27.651784

+1000:

¥25.238682

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NXPSC08650Q_未分类
NXPSC08650Q
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, TO-220AC

未分类

+1:

¥49.367474

+10:

¥41.571933

+100:

¥32.607703

+500:

¥30.154744

+1000:

¥27.226599

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NXPSC08650Q参数规格

属性 参数值
品牌: WeEn Semiconductors
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 8 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 230 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 260pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: 175°C(最大)
温度: