NP83P06PDG-E1-AY厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 83A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥9.587808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 41.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），150W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 83A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥23.454319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 41.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），150W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）
NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 83A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.81907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263
NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 83A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.81907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263

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	NP83P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 83A TO263 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 83A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 41.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10100 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），150W（Tc）工作温度： 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 175°C（TJ）

NP83P06PDG-E1-AY参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8 毫欧 41.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10100 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度:	175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	175°C（TJ）